Лом электронных и радиотехнических изделий

Лом и сами изделия электронной и радиотехнической промышленности представляют наиболее интересный с точки зрения химии, и сложный и многокомпонентный вид вторичного металлургического сырья. Основными компонентами такого вида лома являются: железо в виде простой и нержавеющей стали, алюминий и его сплавы, медь и ее сплавы, керамика, специальные сорта стекла и стеклокерамики, пластмассы и их композиции со стекловолокном.

В настоящее время основная масса драгоценных металлов сосредоточена в ЭВМ старого поколения, блоках управления военной техники, радиотехнических устройствах, телекоммуникационном оборудовании. Основным источником вторичного сырья в настоящее время являются ЭВМ типа ЕС и др., а также начинается переработка и электронного лома

военного назначения.

В ЭВМ типа ЕС и других вычислительных комплексах может содержаться от 0

,2 до 10 кг золота, от 0,5 до 15 кг серебра, от 0,1 до 2 кг палладия и платины. В блоках управления военной техникой количества драгоценных металлов находятся также в этих пределах. Массовое содержание драгоценных металлов составляет сотые доли для ЭВМ и десятые доли для военной техники.

Основная масса золота и платиновых металлов сосредоточена в относительно небольшом количестве изделий и элементов электроники: разъемов, микросхемах, транзисторах и диодах, реле, керамических конденсаторах. Серебро более рассредоточено, но основная его часть присутствует в этих изделиях, а также в контактах реле, сопротивлениях, предохранителях.

До 40-60 % золота и серебра сосредоточено в контактах разъемов различного типа. Основой контактов является медь и ее сплавы, чаще всего латунь и медно-никелевые сплавы. Контакты жестко запрессованы или относительно свободно вставлены в корпус на основе пластмассы или композита. Массовое содержание золота в контактах составляет 0,3-10 % (в среднем 1-5 %), серебра 2-8 %, палладия 0,5-2 %.

Остальное золото сосредоточено преимущественно в микросхемах, транзисторах, диодах. Серебро также присутствует в сопротивлениях, реле и конденсаторах. Платина и палладий в основном находятся в составе керамических конденсаторов.

Данные изделия электроники как правило собраны на плате с помощью пайки или склеивания в типовые элементы замены (ТЭЗ). Корпус платы представляет собой армированный стеклотканью пластик. Доля наполнителя (стеклоткани) достигает ~ 70 % и он представлен специальными сортами бороалюминий-силикатного бесщелочного стекла. В качестве связующего используют кремнийорганические, полиэфирные, поликарбамидные и др. типы пластмасс.
Микросхемы обычно собраны в пластиковом или керамическом корпусе. Позолоченные вывода соединены с керамической пластинкой и жестко запрессованы в корпус. Материал выводов – железо-никелевый магнитный сплав типа “платинит” или “ковар”. Золото нанесено гальванически в количестве 1-10 %. Также золото присутствует в виде подложки под кристалл кремния и специальных припоев. Пластмассовые корпуса микросхем изготавливают из термопластичной пластмассы с 60-70 % наполнителя (тальк, асбест, кремнезем, глинозем). Внутренняя подложка для кристалла обычно сделана из корунда или дуралюмина. Корпуса диодных матриц и некоторых видов микросхем изготавливаются из специальных сортов бесщелочных стекол. Массовое содержание золота в пластмассовых микросхемах может составлять от 0,2 до 1 %, а в керамических от 1 до 5 %. Массовая доля выводов составляет ~ 30 % массы микросхемы. Транзисто

ры содержат золото в качестве подложки под кристаллом и проводником. Среднее массовое содержание золота в золотосодержащих транзисторах составляет 0,3-2 %. Материал крышки – никель или никелированный сплав, материал корпуса – железо-никелевый сплав.

В среднем доля элементов электроники, содержащих золото в количестве от 0,5 и выше, незначительна и их изъятие из лома позволяет выделить в относительно богатый продукт до 90 % всего золота.

Лом электронных и радиотехнических изделий
Лом электронных и радиотехнических изделий

Изделия, концентрирующие серебро, также немногочисленны. Из наиболее богатых можно отметить контакты разъемов, сопротивления, транзисторы, диоды, конденсаторы, контакты реле. Серебро более “размазано” по электронному лому и часто труднодоступно (сопротивления, реле), поэтому выемка серебросодержащих объектов целесообразна только для некоторых типов. Оставшееся в ломе “труднодоступное” серебро следует отправлять на металлургические специализированные предприятия (Кировоградский медеплавильный завод и комбинат “Североникель”). Изделия, содержащие палладий и платину, в основном представлены керамическими конденсаторами на основе титанатов бария или стронция. Содержание палладия в них составляет 3-7 %, а платины – преимущественно 0,3-0,6 %. Кроме того, палладий присутствует в качестве покрытия на некоторых типах разъемов (0,5-3 % палладия), в переменных сопротивлениях, а платина – в контактах реле.

В процессе изъятия из приборов и устройств отдельных элементов, деталей, узлов формируются типовые группы вторичного сырья, требующие специфических методов и технологий переработки. Для лома электронных и радиотехнических изделий такими устройствами являются:
– типовые элементы замены (ТЭЗ),
– реле,
– блоки питания,
– лампы.

В состав устройств, приборов или ТЭЗ в свою очередь входят такие элементы, как:
– микросхемы в пластиковом, керамическом или стеклокерамическом корпусе;
– конденсаторы керамические, тантал-серебряные, танталовые (ниобиевые), электролитические, бумажные;
– сопротивления и резисторы;
– предохранители;
– транзисторы и транзисторные сборки;
– диоды;
– реле;
– трансформаторы, катушки индуктивности;
– разъемы штыревые и ламельные.

На специализированных аффинажных предприятиях (Щелковский завод вторичных драгоценных металлов, Приокский завод цветных металлов, Новосибирский завод цветных металлов, Красноярский завод цветных металлов) направляют концентраты, содержащие более 1 % золота; (МПГ) и 5 % серебра в металлической форме или форме порошков. Из всех элементов электроники лишь некоторые типы транзисторов удовлетворяют этим условиям. Все остальные элементы и устройства требуют переработки с целью извлечения из них металлической фракции, содержащей более 1 % Аи или МПГ и более 1 % Ад.

Оставить комментарий